Инженеры из Университета Северной Каролины, расположенного в США, в ходе исследований обнаружили возможность создания полупроводникового устройства, который способен эффективно осуществлять перенос заряда, путем укладки материалов толщиной в один атом. И это – несмотря на то, что кристаллические структуры материалов могут даже не совпадать друг с другом. Это технологическое решение позволяет значительно уменьшить цену изготовления большого числа полупроводниковых компонентов, в числе которых не только лазеры и солнечные батареи, но и диоды для приборов LED освещения.
Сегодня для создания фотонных, а также электронных полупроводниковых изделий, которые способны эффективно переносить заряд между материалами, необходимо обеспечить безупречное совпадение кристаллических структур. Соответственно, разнообразие материалов, применяемых для таких устройств, резко ограничено. Но инженеры одного из американских университетов обнаружили, что в случае использования атомно тонких 2-D материалов можно не обращать внимание на кристаллическую структуру. Таким образом, появляется возможность применения любой комбинации минимум из двух полупроводниковых материалов, сложенных в любом порядке для достижения эффективного заряда между материалами.
Традиционно для создания приборов LED освещения или любых других полупроводниковых устройств возникала необходимость в использовании сложных методов обработки. Помимо этого при производстве светодиодных ламп требовалось располагать специализированным дорогостоящим оборудованием. Что вполне логично, это делает итоговую цену устройств (солнечных батарей, лазеров, светодиодных ламп) достаточно высокой.
И именно инновационное решение от американских инженеров позволяет значительно снизить затраты на изготовление светодиодных ламп за счет применения технологии укладки 2-D материалов. Остается лишь начать активно работать с данной методикой, и тогда в скором времени производство полупроводниковых устройств будет стоить на порядок дешевле, чем сейчас.
